Intel、美光攜手非揮發性記憶體技術 帶動運算效率 – Mashdigi.com－科技、網路、趨勢、新知、生活、趣聞

Intel宣布與美光 (Micron)攜手合作，將透過3D XPoint技術使非揮發性記憶體 (NVRAM)速度提升至現有NAND Flash的1000倍，並且透過特殊複合材質與十字交叉架構設計，讓新記憶體技術設計儲存密度表現相比傳統記憶體高約10倍，預期將以此開創25年以來首款全新非揮發性記憶體類別，藉此帶動各類資料運算存取速度，進而提昇諸如機器學習、大數據分析、高達8K影像運算等應用。

由Intel、美光攜手合作的全新3D XPoint技術，預期將使現有非揮發性記憶體產品相比1989年推行的NAND Flash提昇高達1000倍速度，除將成為非揮發性記憶體全新產品類別，同時預期將使耐用度提昇1000倍，儲存密度也相比傳統記憶體設計高出10倍。而在提昇非揮發性記憶體效能、密度表現，同時維持與成本、功耗等因素平衡最佳化之下，將能進一步強化資料儲存、效率應用優勢，藉此帶動諸如機器學習、大數據分析、高達8K影像運算等應用。

目前3D XPoint技術將採用交叉點陣列結構設計，透過垂直導體連結以1280億組高密度配置的記憶體儲存單元，藉此提供高效能與高密度的位元儲存空間。另外本身也將對應可堆疊特性，現階段每組晶粒能均可儲存128Gb，並且可堆疊成兩層的記憶體元件，而未來將進一步提高記憶體元件層數量，搭配傳統顯影電路微縮化發展，將能進一步提升儲存容量。

透過微型化的儲存單元設計，加上可快速切換的選擇器、低延遲交叉結構陣列，以及快速寫入演算法，將可讓儲存單元能更快效率切換運作狀態，進而使全新類別的非揮發性記憶體相比現行產品有更高速度表現。

3D XPoint技術預計將在今年稍後針對特定客戶開始送樣，同時Intel、美光也正著手開發內含3D XPoint技術的產品項目。

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• Intel and Micron Produce Breakthrough Memory Technology (Intel官方新聞稿)