三星 3 nm 製程恐不如 Intel 的 7 nm，技術指標顯示電晶體密度差距過大 - Tech NERvX

目前在 10 nm 或是更為高階的半導體製程裡，只有 Intel、三星與台積電還有能力進行量產，每家大廠都無所不用其極地不斷推進自家的製程技術，但是同樣的製程技術下的晶片，效能的表現是否也是差不多的水準，這恐怕就要打上一個問號了。

三家晶圓大廠的製程技術在電晶體密度上有所差距

最近媒體 Digitimes 就整理出了三個晶圓大廠在 10 nm 到 2 nm 製程技術間的演進對比圖，並以電晶體密度來顯示出其差異，從圖片中可以知道各個大廠對同樣製程技術下的電晶體密度定義似乎都不盡相同。

從 10 nm 的部份來看，Intel 的電晶體密度高達 1.06 億／mm²，是台積電與三星的兩倍，而在 7 nm 的部份，Intel 預計電晶體密度能達到 1.8 億／mm²，台積電和三星則分別是 9700 萬／mm² 與 9500 萬／mm²，差距也差不多是接近兩倍左右。

而接下來到了 5 nm 製程技術，Intel 同樣是領先預計可以做到 3 億／mm²，台積電部分到了 1.73 億／mm²，三星部分則為 1.27 億／mm²。

經過這樣電晶體密度的對比後，可以看出 Intel 的 10 nm 製程已經相當於是台積電及和三星的 7 nm 製程水準，而 Intel 的 7 nm 製程則相當於另外兩間晶圓大廠的 5 nm 製程，這個的數據也間接證實了 Intel 之前所聲稱的，台積電的 7 nm 製程大概等於 Intel 的 10 nm 製程的這個說法，至少在技術規格上可能是正確的。

半導體的技術能力可能不僅僅只是在製程技術上

但是半導體的技術能力也不僅僅只有在電晶體密度上面，像是能不能穩定的量產、良率的控制、成本的考量與供應商的關係…等等因素，都使得台積電目前比其他另外兩間晶圓大廠要更為穩定地成長。

值得一提的是在 5 nm 製程的部份，可以看到三星在電晶體密度上已經明顯落後，到了 3 nm 製程部份，三星僅有 1.7 億／mm²，相比台積電的 5 nm 製程甚至是已經低兩級的 Intel 7nm 製程的標準都還要更低。

現階段台積電已經開始著手進行了 3 nm 製程的試產，預計將在 2022 年的下半年開始投入量產，Intel 最近則已經完成旗下 7 nm 處理器的 Tape in 階段，三星部分已經開始用其 5 nm 製程為 Qualcomm 與 Goolge 等公司代工手機晶片。

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